标题:Infineon(IR) IKZ75N65EL5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKZ75N65EL5XKSA1功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性和高功率密度特点的器件。该器件采用650V耐压等级,可实现高达100A的电流输出,适用于各种工业和电源应用场景。 首先,IKZ75N65EL5XKSA1采用了先进的沟槽技术,这使得其具有更低的导通电阻和更高的开关速度,从而提高了系统的效率。此外,其四通道模块设计使得它可以应用于更大功率的电源系统,
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