随着电子技术的不断发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域的应用越来越广泛。Infineon英飞凌作为全球知名的半导体公司，其IFS100B12N3E4B31BOSA1模块IGBT MOD是一款高性能的IGBT产品，具有多种参数和方案应用。 首先，我们来了解一下IFS100B12N3E4B31BOSA1模块IGBT MOD的主要参数。该产品采用1200V、200A、515W的规格，具有高输入电容、低导通电阻和快速开关性能等特点。其栅极驱动电压范围为15V至
标题：Infineon(IR) IRGB4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRGB4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE作为一种高性能的功率半导体器件，在工业、交通、能源等多个领域发挥着重要的作用。本文将介绍IRGB4615DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE的技术和方案应用。 一、技术